ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА ВЫСОКОТЕХНОЛОГИЧНЫХ ПРЕДПРИЯТИЯХ


Чтобы посмотреть презентацию с картинками, оформлением и слайдами, скачайте ее файл и откройте в PowerPoint на своем компьютере.
Текстовое содержимое слайдов презентации:

ФГБОУ ВПО «МОРДОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. П. ОГАРЁВА» ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ«ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА ВЫСОКОТЕХНОЛОГИЧНЫХ ПРЕДПРИЯТИЯХ» ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПРОГРАММЕ Цель: сформировать у слушателей компетентность в области конструирования, технологии производства и моделировании проводниковых приборов и интегральных микросхемКатегория обучаемых: инженеры-конструкторы всех категорий, инженеры-технологи всех категорийФорма обучения: с отрывом от работыСрок обучения: 72 академических часа УЧЕБНЫЙ ПЛАН №п/п Наименование модуля Всего часов В том числе Лекции Практические (Лабораторные)Занятия 1 Модуль 1. Конструирование и технология производства проводниковых приборов и интегральных микросхем (ПМ-1) 48 28 20 (16) 2 Модуль 2. Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Полупроводниковые приборы на широкозонных полупроводниках (ПМ-2) 24 8 16 (4) ИТОГО 72 36 36 (20) Итоговая аттестация по программе 4 ВСЕГО ЧАСОВ ПО ПРОГРАММЕ 76 СТРУКТУРА ПРОГРАММЫ «Производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на высокотехнологичных предприятиях» ПМ 1. Конструирование и технология производства проводниковых приборов и интегральных микросхем. Классификация полупроводников. Кристаллическая структура и дефекты. Зонная структура полупроводников. Электронные состояния кристаллов. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Оже рекомбинация. Физика полупроводниковых диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, биполярных транзисторов с изолированным затвором. Общая характеристика и основные операции технологического процесса изготовления полупроводниковых приборов и ИМС. Сравнительный анализ методов формирования легированных областей полупроводниковых структур. Современные виды технологического оборудования в кристальном производстве. Сборка полупроводниковых приборов и ИМС. Основные технологические процессы сборки. Технологические процессы при изготовлении полупроводниковых приборов на широкозонных полупроводниках. СТРУКТУРА ПРОГРАММЫ «Производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на высокотехнологичных предприятиях» ПМ 2. Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Полупроводниковые приборы на широкозонных полупроводниках. Программа создания моделей полупроводниковых приборов Seditor. Программа физико-топологического моделирования полупроводниковых приборов Sdevice. Общие сведения о полупроводниковых приборах на основе Si, GaAs, SiC, GaN. Сравнение, новые возможности. Технология SiC. Особенности конструирования быстровосстанавливающихся высоковольтных SiC диодов и транзисторов Технология GaAs. Особенности технологии и конструирования быстровосстанавливающихся высоковольтных GaAs диодов и транзисторов СОДЕРЖАНИЕ МОДУЛЕЙ ПМ 1. Конструирование и технология производства проводниковых приборов и интегральных микросхем.Рассматриваются физические основы полупроводников, полупроводниковых приборов и элементов ИМС, применяемые в их производстве материалы, технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и ИМС, устройство и номенклатура приборов. Изучается расчет и конструирование полупроводниковых приборов и ИМС. СОДЕРЖАНИЕ МОДУЛЕЙ ПМ 2. Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Полупроводниковые приборы на широкозонных полупроводниках. Рассматривается состав и структура пакета программ моделирования полупроводниковых приборов и элементов ИМС Synopsys TCAD. Изучаются программы создания моделей полупроводниковых приборов SEditor и физико-топологического моделирования полупроводниковых приборов SDevice. Даются общие сведения о полупроводниковых приборах на основе Si, GaAs, SiC, GaN и их новых возможностях. Рассматриваются особенности технологии и конструирования быстро восстанавливающихся высоковольтных GaAs p-i-n диодов, СВЧ транзисторов, диодов Шоттки на карбиде кремния и нитриде галлия. ИНФРАСТРУКТУРА Университет располагает квалифицированными кадрами, комплексом оборудования и лицензионными пакетами программ для подготовки и переподготовки специалистов в области производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Структура и состав Synopsys TCAD Пакет программ для моделирования полупроводниковых приборов и элементов ИМС Synopsys TCAD Установка нестационарной спектроскопии глубоких уровней DLS-83D ФОРМИРУЕМЫЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ В производственно-технологической деятельности:ПК1.1.1 Готовность внедрять результаты разработок в производство ФОРМИРУЕМЫЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ В проектно-конструкторской деятельности:ПК 1.2.1 Способность проводить предварительное технико-экономическое обоснование проектовПК 1.2.2 Готовность выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования ПК 1.2.3 Готовность осуществлять контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам ФОРМИРУЕМЫЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ В научно-исследовательской деятельности:Способность собирать, анализировать и систематизировать отечественную и зарубежную научно-техническую информацию по тематике исследования в области электроники и наноэлектроникиПК 1.3.2 Способность аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, схем, устройств и установок электроники и наноэлектроники различного функционального назначенияПК 1.3.3 Готовность анализировать и систематизировать результаты исследований, представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций СТАЖИРОВКА В РОССИИ СТАЖИРОВКА ЗА РУБЕЖОМ СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ!

Приложенные файлы


Добавить комментарий